型号:STTH1506DPI

重复峰值反向电压(VRRM): 600伏

平均正向电流(中频):15a

浪涌非重复正向电流(IFSM): 130a

储存温度范围(Tstg): -65至﹢150℃ 150℃

工作结温范围(TJ):-40至-150℃

反向漏电流(IR): 20ua

正向压降(VF): 2.4v

反向恢复时间(TRR): 16纳秒

STTH1506DPI描述:

STTH1506DPI是一款超高性能二极管，由两个300V芯片串联而成。当工作在高dIF/dt时，Turbo开关“H”系列可以大大降低相关MOSFET的损耗。

STTH1506DPI的特性和优势:

特别适用于硬开关条件下的连续模式功率因数校正器和升压二极管。

设计用于高DI/DT操作，超快速恢复电流和SIC器件之间的竞争允许MOSFET和散热器的尺寸减小。

两个300V二极管具有相同热条件的内部陶瓷绝缘器件。

它可以与MOSFET放在同一个散热器上，并可以在公共或独立的散热器上灵活散热。

通过设计确保内部二极管的静态和动态平衡。

强源信电子原厂渠道代理各系列MOS、IGBT、FRD；

英飞凌/英飞凌:IPW65R150CFDA，IPW65R110CFDA，IPW65R080CFDA，AIGW40N65H5，AIGW50N65H5等。

ON/安森美:FCH041N65F，NVHL040N65S3F，FGH40N60SMD，ISL9R3060G2等。

ST/ STF: STW43NM60ND，STW78N65M5，STTH6010-Y，STTH30ST06-Y，STTH60RQ06-Y，STTH1506DPI，sth 15 rq 06-Y等。

IXYS/ Essex: DS145-16A等。